Vorlesung: Method Course: Charge doping effects in semiconductors - Details

Allgemeine Informationen

Veranstaltungsname	Vorlesung: Method Course: Charge doping effects in semiconductors
Semester	SS 2021
Aktuelle Anzahl der Teilnehmenden	3
erwartete Teilnehmendenanzahl	8
Heimat-Einrichtung	Lehrstuhl für Experimentalphysik V
Veranstaltungstyp	Vorlesung in der Kategorie Lehre
Erster Termin	Montag, 12.04.2021 09:00 - 10:30
Veranstaltung findet online statt / hat Remote-Bestandteile	Ja
Hauptunterrichtssprache	englisch
ECTS-Punkte	8

Lehrende

• Dr. Lilian Prodan
• Dr. Somnath Ghara

Räume und Zeiten

Keine Raumangabe

Montag: 09:00 - 10:30, wöchentlich

Studienbereiche

• Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät > Institut für Physik

Kommentar/Beschreibung

The goal of the method course is to make students familiar with the concept of controlling the type and the concentration of charge carriers in semiconductors, which is widely used approach in electronics and various fields of materials science. For this purpose, the current method course will be dealing with the preparation of various electron-doped and / or hole-doped narrow-gap semiconductors and investigation of the influence of charge doping on transport and magnetic properties.
Students will be involved rigorously in planning Hall effect experiments, determination of the charge carrier type and density, and describe the charge doping effects in semiconductors.