Praktikum: Method course: Charge doping effects in semiconductors (Practical Course) - Details

Allgemeine Informationen

Veranstaltungsname	Praktikum: Method course: Charge doping effects in semiconductors (Practical Course)
Semester	SS 2024
Aktuelle Anzahl der Teilnehmenden	6
Heimateinrichtung	Lehrstuhl für Experimentalphysik V
Veranstaltungstyp	Praktikum in der Kategorie Lehre
Veranstaltung findet online statt / hat Remote-Bestandteile	Ja
Hauptunterrichtssprache	deutsch

Lehrende

Räume und Zeiten

Die Zeiten der Veranstaltung stehen nicht fest.

Studienbereiche

Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät > Institut für Physik

Modulzuordnungen

Advanced Functional Materials - FAME Master Advanced Functional Materials (FAME), 10. Version gültig SS 2023 bis SS 2024 > 2 Methods in Materials Science > PHM-0258 - Method course: Charge doping effects in semiconductors (gültig ab SS 2021) > Method course: Charge doping effects in semiconductors (Practical Course)
Materials Science Master Program Materials Science (PO 2016), 15. Version gültig im SS 2024 > 2 Methods in Materials Science > PHM-0258 - Method course: Charge doping effects in semiconductors (gültig ab SS 2021) > Method course: Charge doping effects in semiconductors (Practical Course)
Materials Science and Engineering Master Materials Science and Engineering, 4. Version gültig im SS 2024 > 6 Methods in Materials Science > PHM-0258 - Method course: Charge doping effects in semiconductors (gültig ab SS 2021) > Method course: Charge doping effects in semiconductors (Practical Course)
Austauschstudium - MNTF Austauschstudium MNTF, 4. Version gültig im SS 2024 > Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät - Master Level > PHM-0258 - Method course: Charge doping effects in semiconductors (gültig ab SS 2021) > Method course: Charge doping effects in semiconductors (Practical Course)

Anmelderegeln

Diese Veranstaltung gehört zum Anmeldeset "Anmeldung gesperrt (global)".

Folgende Regeln gelten für die Anmeldung:

Die Anmeldung ist gesperrt.